أكدت شركة سامسونج اليوم بأنها بدأت عملية الأنتاج للذاكره العشوائيه
بسعة 4 جيجابت بتقنية 20 نانومتر LPDDR2 لتكون بحجم أصغر وبنفس الأداء
لتقنية 30 نانومتر لتصل سرعة الأداء 1066 ميجابت بالثانيه وذو أستهلاك أقل
للطاقه بمقدار 20 بالمئه مقارنة بالجيل القديم وتستهدف الهواتف المحموله
الخارقه وكذالك الأجهزه اللوحيه